Разновидности биполярных транзисторов Материалу изготовления: кремний или арсенид галлия. Величине частоты: до 3 МГц – низкая, до 30 МГц – средняя, до 300 МГц – высокая, более 300 МГц – сверхвысокая. Наибольшей рассеиваемой мощности: 0-0,3 Вт, 0,3-3 Вт, свыше 3 Вт. Типу прибора: 3 слоя полупроводника с последовательной очередностью типа проводимости. Устройство и работа Слои транзистора, как внутренний, так и наружный, объединены с встроенными электродами, которые имеют свои названия в виде базы, эмиттера и коллектора. Особых отличий по видам проводимости у коллектора и эмиттера не наблюдается, однако процент включения примесей у коллектора намного меньше, что позволяет повысить допустимое напряжение на выходе. Биполярные и а и устройствоНадо установить переключатель работы тестера в положение проверки диодов, присоединив один щуп к базе, а второй – поочередно к эмиттеру и коллектору. Мнение экспертаIt-Technology, Cпециалист по электроэнергетике и электроникеЗадавайте вопросы «Специалисту по модернизации систем энергогенерации»Биполярные транзисторы. Назначение, виды, характеристики Преимущество эмиттерного повторителя состоит в создании большого сопротивления входа 10-500 кОм , что позволяет удобно согласовывать каскады. Спрашивайте, я на связи! Биполярные транзисторы: схемы включения. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером Слои перехода выполнены по одному принципу. Однако биполярные транзисторы считаются несимметричными приборами. При чередовании крайних слоев местами с одной проводимостью нельзя образовать подобные параметры полупроводника. Схемы подключения транзисторов выполнены таким образом, что могут обеспечить ему как закрытое, так и открытое состояние. При активной работе, когда полупроводник открыт, смещение эмиттера выполнено в прямом направлении. Для полного понимания этой конструкции, нужно подключить напряжение питания по изображенной схеме. Характеристики Коэффициент усиления тока β = Iк / Iб. Коэффициент усиления напряжения Uэк / Uбэ. Сопротивление на входе.
Источник:
